三星电子驳斥向英伟达供应的HBM内存存在裂纹被英伟达拉黑等谣言 – 蓝点网

近期网上有谣言称英伟达永久停止与三星电子合作，星电向英原因是驳斥三星电子向英伟达供应的 HBM 内存存在裂纹而导致各种产品出现缺陷。

HBM 指的伟达纹被网是高带宽存储器，是达拉内存的一种类型，可以将多个芯片堆叠并与 GPU 芯片封装在一起。内存

三星电子是存裂 HBM 内存的主要供应商之一，相关的英伟谣流言自然对三星电子产生负面影响，而消息源并非媒体报道，蓝点而是星电向英在韩国汝矣岛证券交易所的一些分析师发出来的。

三星电子表示：

在韩国汝矣岛证券交易所流传的 “向 NVIDIA 供应的三星电子 HBM 因裂纹而出现整体缺陷” 的谣言毫无根据，整体有缺陷的伟达纹被网谣言被认定为韩国汝矣岛证券交易所的一些分析师此前散布的恶意谣言，我们不确定为什么他们会散布这些恶意谣言。达拉

实际上谣言不止这些，内存最初的存裂 “谣言” 完整的说法是三星电子的 HBM 内存存在重大缺陷，导致英伟达的英伟谣产品受影响，进而导致英伟达拉黑三星电子，不再采用其任何内存芯片。

英伟达采购的 HBM 内存最初主要是 SK 海力士供应的，而且是独家供应，从今年开始英伟达接受了三星电子供应的 HBM3 内存。

不过关于这些传言英伟达并未发布任何回应。

附加内容：

HBM：高带宽存储器是三星电子、超微半导体和 SK 海力士发起的一种基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合，像是图形处理器、网络交换及转发设备等。

HBM3：指的是 HBM 第三个标准，每个标准里面还有不同的 “代”，所以这里指的并不是第三代。

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